英特尔的 18A 节点不仅关乎良率和密度（这仍然黑白常紧迫的身分）姐妹花 porn，还关乎性能。据台湾媒体 3C News 征引 TechInsights 的相关和盘算推算，节点性能的新教导者是英特尔 18A。在 TechInsights 使用的自界说评分范例中，英特尔 18A 的性能得分为 2.53，而台积电 N2 的性能得分为 2.27， SF2 的性能得分为 2.19。
这意味着同为两个纳米级节点中，处于进格局位。看成第一个具有后头供电网罗 (BSPDN) 的节点，它将在2025 年末出现时 Panther Lake CPU 中进行测试，并在 2026 年头出货。这种新的电源架构将布局成果和组件期骗率提高 5-10%，镌汰互连电阻，并将 ISO 电源性能提高高达 4%，这要归功于与传统前端电源布线比较固有电阻的清醒着落。
bt核工厂地址与其前身英特尔 3 比较，18A 工艺每瓦性能栽植了 15%，并在调换面积内封装了 30% 以上的晶体管。该工艺弃取 RibbonFET 设想，已干与风险坐蓐阶段。英特尔示意：“这临了阶段是对量产进行压力测试，然后在 2025 年下半年完满大齐量坐蓐。”
至于SRAM 密度等其他方面，高性能 SRAM 单位从英特尔 3 的 0.03 微米² 消弱到英特尔® 18A 的 0.023 微米²，而高密度单位消弱到 0.021 微米²，辞别反应了 0.77 和 0.88 的缩放整个，冲破了之前 SRAM 缩放已达到褂讪水平的假定。英特尔窜改的“环绕阵列”PowerVia 智商通过将电源通孔布线到 I/O、抑制妥协码器电路来搞定电压降和骚扰问题，从而将位单位区域从正面电源中自若出来。最终完满了 38.1 Mbit/mm² 的宏位密度，使英特尔或者与台积电的 N2 相失色。通盘这些，加上 BSPDN，英特尔正在构建一个庞杂的节点。这让外界对将来 18A 工艺充满了期待。
